千城 发表于 2017-12-14 14:03:28

[评审报告]三星ARM核心板


1、器件没有放置完全，网络没有连完。

千城 发表于 2017-12-14 14:05:10


2、目前过孔距离60，建议200mil左右间隔打孔，过孔太密会降低板子硬度。

千城 发表于 2017-12-14 14:06:49


3、L3层参考第二层，箭头处走线跨分割了，稍微调整下L3走线即可解决问题。

千城 发表于 2017-12-14 14:08:27


4、DDR差分对需要做阻抗，参考第5层板，优化第5层板铜皮区域，让这对差分对有完整的参考平面。

千城 发表于 2017-12-14 14:11:06


5、设计非常不合理。地址线对应的线宽太粗，导致间距太近，串扰会很大，请调整。
6、针对DDR/DDR2/DDR3走线，没有任何必要弧形走线，为了更好的设计效率，建议45度走线，更方便后期优化！因为弧形线不好调整的哦！
7、建议减小第5层板铜皮到过孔的间距。

千城 发表于 2017-12-14 14:14:40


8、建议加大铜皮宽度，满足载流！其他铜皮区域同样的请仔细检查下！

千城 发表于 2017-12-14 14:22:30


9、USB座子焊盘建议使用十字花连接，插件座子的GND管脚建议与铜皮的间距改为8mil，方便焊接！

千城 发表于 2017-12-14 14:26:18


10、不过不要打在焊盘上。
11、输入端过孔，建议放在电容下方，滤波效果更好。
12、输出端过孔，全部放在C158电容上方。
13、电容地焊盘、IC地焊盘附近都加上4个过孔。
14、板中其他电源模块参考上方建议修改。

千城 发表于 2017-12-14 14:29:54


15、器件上移，走线更短！这根ODT线常规宽度即可，不需要粗线。

千城 发表于 2017-12-14 14:32:59

16、重点处理DDR走线部分、电源模块的设计、优化板子的过孔（太密太乱，有点随便打的感觉）！
还需好好加油，板子只是处于连通的水平！

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